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教材名称：《电工学简明教程(第3版)》

主编：秦曾煌

出版社：高等教育出版社

版次：2015年3月

书刊号：ISBN：9787040344967

目录

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3. 智能功能，高效提分

一、单项选择题（60题）

二、多项选择题（40题）

三、判断题（40题）

四、填空题（40题）

五、名词解释题（40题）

六、简答题（40题）

七、论述题（15题）

八、材料分析题（5题）

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第10章试卷-章节练习

第10章 基本放大电路

10.1 共发射极放大电路的组成

10.2 共发射极放大电路的分析

10.2.1 静态分析

10.2.2 动态分析

10.3 静态工作点的稳定

10.4 射极输出器

10.4.1 静态分析

10.4.2 动态分析

10.5 差分放大电路

10.5.1 静态分析

10.5.2 动态分析

10.6 互补对称功率放大电路

10.6.1 对功率放大电路的基本要求

10.6.2 互补对称放大电路

10.7 场效晶体管及其放大电路

10.7.1 绝缘栅场效晶体管

10.7.2 场效晶体管放大电路

一、单项选择题（60题）

1.在共发射极放大电路中，静态工作点的主要作用是（）

A.放大交流信号             B.确定晶体管的工作状态

C.减小输出失真             D.提高输入电阻

正确答案：B

解析：静态工作点（Q点）是晶体管在无输入信号时的直流工作状态，通过偏置电路设置合适的基极电流和集电极电流，使晶体管工作在放大区。若Q点设置不当，会导致输出信号失真（如饱和失真或截止失真），但Q点本身的作用是确定工作状态，而非直接放大信号或减小失真。

2.射极输出器的主要特点是（）

A.电压增益高                B.输入电阻低，输出电阻高

C.电压增益接近1，输出电阻低             D.适用于高频放大

正确答案：C

解析：射极输出器的电压增益约为1（Av≈1），但电流增益和功率增益较高。其输入电阻高（因基极电流小），输出电阻低（射极跟随器特性），常用于阻抗匹配和缓冲级，而非高频放大。

3.差分放大电路的主要作用是（）

A.放大共模信号             B.抑制共模信号，放大差模信号

C.提高电压增益             D.减小输出电阻

正确答案：B

解析：差分放大电路通过双端输入、双端输出的结构，利用对称性抑制共模信号（如温度漂移或干扰），同时放大差模信号（有用信号）。其核心优势在于高共模抑制比（CMRR）。

4.互补对称功率放大电路中，采用互补晶体管的主要目的是（）

A.提高电压增益             B.消除交越失真

C.实现推挽输出，提高效率             D.减小静态功耗

正确答案：C

解析：互补对称电路（如OCL）使用NPN和PNP晶体管交替导通，实现推挽输出，使输出信号正负半周均能高效放大。虽然加入偏置可减小交越失真（选项B），但互补结构的核心目的是提高效率，而非直接消除失真。

5.绝缘栅场效晶体管的栅极与沟道之间（）

A.存在PN结             B.通过绝缘层隔离

C.直接导通             D.需要高偏置电压

正确答案：B

解析：MOSFET的栅极与沟道之间通过二氧化硅绝缘层隔离，输入电阻极高，栅极电流几乎为零。与双极型晶体管不同，MOSFET无栅极-沟道PN结，且工作电压较低（如逻辑电平驱动）。

6.在共发射极放大电路中，若基极电阻Rb增大，则静态工作点会（）

A.上移             B.下移

C.不变             D.无法确定

正确答案：B

解析：基极电阻Rb增大时，基极电流Ib=Rb+ReVCC−VBE减小（假设射极电阻Re不变），导致集电极电流Ic=βIb和集电极-发射极电压VCE=VCC−IcRc增大。静态工作点（Ic,VCE）因此向截止区移动，即下移。

7.差分放大电路中，若两输入端信号电压分别为vi1=10 mV和vi2=8 mV，则差模输入电压为（）

A.2 mV             B.18 mV

C.1 mV             D.9 mV

正确答案：A

解析：差模输入电压定义为两输入端电压之差，即vid=vi1−vi2=10 mV−8 mV=2 mV。共模输入电压为两输入端电压的平均值，但本题仅问差模分量。

8.互补对称功率放大电路中，若输出端直接耦合负载，则最大不失真输出电压的幅值约为（）

A.VCC             B.VCC/2

C.2VCC             D.VCC/2

正确答案：A

解析：OCL电路采用双电源（±VCC）供电，但单电源供电时（如仅+VCC），输出端最大不失真电压幅值受晶体管饱和压降限制，理想情况下接近VCC（实际略小于VCC）。若题目未明确双电源，默认单电源场景。

9.射极输出器的输出电阻Ro主要由（）决定

A.集电极电阻Rc             B.射极电阻Re

C.基极电阻Rb             D.晶体管内阻

正确答案：B

解析：射极输出器的输出电阻Ro≈Re∥β+1rbe+Rb，其中Re（含旁路电容时为交流等效电阻）起主导作用。若Re较大且无旁路电容，Ro主要由Re决定；若Re较小且有旁路电容，Ro接近晶体管输出电阻，但通常题目默认Re存在。

10.绝缘栅场效晶体管的栅极电流Ig（）

A.随漏极电流Id增大而增大             B.几乎为零

C.与栅源电压Vgs成正比             D.用于驱动漏极电流

正确答案：B

解析：MOSFET的栅极与沟道通过绝缘层隔离，栅极电流Ig极小（理想情况下为零），仅存在极小的漏电流。栅源电压Vgs通过电场效应控制漏极电流Id，但无需栅极电流驱动。

11.在共发射极放大电路中，若集电极电阻Rc增大，则电压增益Av会（）

A.减小             B.增大

C.不变             D.无法确定

正确答案：B

解析：共发射极放大电路的电压增益公式为Av=−βrbeRc∥RL（RL为负载电阻）。当Rc增大时，Rc∥RL增大，导致Av的绝对值增大。若忽略负载电阻RL，则Av≈−βrbeRc，显然Rc增大时增益增大。

12.差分放大电路中，若两管基极电流分别为Ib1=50μA和Ib2=48μA，且β=100，则两管集电极电流之差ΔIc为（）

A.20μA             B.2 mA

C.0.2 mA             D.2μA

正确答案：B

解析：集电极电流Ic=βIb，两管集电极电流之差为ΔIc=β(Ib1−Ib2)=100×(50μA−48μA)=2 mA。差分放大电路对电流差异的放大能力由β决定。

13.互补对称功率放大电路中，若采用NPN和PNP晶体管组成推挽输出级，则两管的（）

A.基极电压始终相等             B.集电极电流始终相等

C.发射极直接连接负载             D.工作状态始终互补

正确答案：D

解析：互补对称电路中，NPN和PNP晶体管交替导通，一个导通时另一个截止，工作状态互补。基极电压和集电极电流随输入信号变化，并非始终相等；发射极通常通过耦合电容连接负载（或直接耦合时共地），但并非“直接连接负载”的严格表述。

14.射极输出器的输入电阻Ri主要由（）决定

A.基极电阻Rb             B.射极电阻Re

C.晶体管内阻rbe             D.Rb∥[rbe+(1+β)Re]

正确答案：D

解析：射极输出器的输入电阻公式为Ri=Rb∥[rbe+(1+β)Re]。其中，rbe为晶体管输入电阻，(1+β)Re为射极电阻的等效反馈电阻。若Rb较大，Ri主要由rbe+(1+β)Re决定。

15.绝缘栅场效晶体管的转移特性曲线在饱和区（放大区）近似为（）

A.水平直线             B.垂直直线

C.指数曲线             D.斜率为gm的直线

正确答案：D

解析：在饱和区（放大区），MOSFET的漏极电流Id与栅源电压Vgs近似呈线性关系，即Id=IDSS(1−VpVgs)2（耗尽型）或Id=21μnCoxLW(Vgs−Vt)2（增强型），但小信号分析中可近似为Id≈gmVgs，其中gm为跨导。因此转移特性曲线近似为斜率为gm的直线。

16.在共发射极放大电路中，若负载电阻RL增大，则电压增益Av会（）

A.减小             B.增大

C.不变             D.无法确定

正确答案：B

解析：电压增益公式为Av=−βrbeRc∥RL。当RL增大时，Rc∥RL趋近于Rc（若RL≫Rc），或整体增大（若RL与Rc可比），导致Av的绝对值增大。因此，负载电阻增大时，电压增益增大。

17.差分放大电路中，若采用双端输入-单端输出方式，其差模电压增益与双端输入-双端输出相比（）

A.增大一倍             B.减小一半

C.不变             D.取决于负载电阻

正确答案：B

解析：双端输入-双端输出的差模电压增益为Avd=−βrbeRc，而双端输入-单端输出的差模电压增益为Avd1=−21βrbeRc（假设两管对称）。单端输出时，信号仅从一侧输出，增益减半。

18.互补对称功率放大电路中，若输出端出现交越失真，可通过（）消除

A.增大电源电压VCC             B.减小负载电阻RL

C.引入合适的偏置电压             D.增大晶体管的β值

正确答案：C

解析：交越失真由晶体管导通死区（阈值电压）引起。引入合适的偏置电压（如通过二极管或电阻分压）使两管在静态时处于微导通状态，可消除交越失真。增大VCC或β、减小RL均无法直接解决导通死区问题。

19.射极输出器的电压增益Av（）

A.远大于1             B.接近1但小于1

C.远小于1             D.等于0

正确答案：B

解析：射极输出器的电压增益公式为Av=rbe+(1+β)Re′(1+β)Re′（Re′为射极电阻的交流等效值）。由于rbe≪(1+β)Re′，Av≈1，但略小于1（因rbe存在）。其主要作用是阻抗匹配和电流放大。

20.绝缘栅场效晶体管的栅极与源极之间的绝缘层击穿会导致（）

A.栅极电流急剧增大             B.漏极电流急剧增大

C.晶体管永久损坏             D.输出电阻减小

正确答案：C

解析：MOSFET的栅极与源极之间为绝缘层（如二氧化硅），正常工作时栅极电流极小。若绝缘层击穿，栅极与沟道导通，可能导致栅极短路或晶体管结构破坏，造成永久损坏。击穿后漏极电流可能异常增大，但直接后果是晶体管失效。

21.在共发射极放大电路中，若发射极电阻Re未接旁路电容，则电压增益Av会（）

A.增大             B.减小

C.不变             D.无法确定

正确答案：B

解析：发射极电阻Re未接旁路电容时，其交流等效电阻为Re本身，导致发射极电流负反馈增强。电压增益公式变为Av=−rbe+(1+β)ReβRc，分母增大，增益减小。若接旁路电容，Re对交流短路，增益恢复为Av≈−βrbeRc。

22.差分放大电路中，若两管发射极公共电阻Re增大，则共模抑制比CMRR会（）

A.减小             B.增大

C.不变             D.取决于输入信号

正确答案：B

解析：共模抑制比CMRR=AvcAvd（Avd为差模增益，Avc为共模增益）。Re增大时，共模信号在Re上产生的负反馈增强，导致Avc减小，而差模信号因两管电流方向相反，Re上的电压变化相互抵消，Avd基本不变。因此CMRR增大。

23.互补对称功率放大电路中，若电源电压VCC增大，则最大不失真输出功率Pom会（）

A.减小             B.增大

C.不变             D.与负载电阻RL无关

正确答案：B

解析：OCL电路的最大不失真输出功率公式为Pom=2RLVCC2（理想情况）。当VCC增大时，Pom与VCC2成正比，因此输出功率增大。负载电阻RL也会影响Pom，但题目仅问VCC的影响。

24.射极输出器的输出电阻Ro与（）关系最密切

A.集电极电阻Rc             B.发射极电阻Re

C.晶体管内阻rce             D.基极电阻Rb

正确答案：B

解析：射极输出器的输出电阻公式为Ro≈Re∥β+1rbe+Rb。若Re较大且无旁路电容，Ro主要由Re决定；若Re较小且有旁路电容，Ro接近晶体管输出电阻rce∥β+1rbe+Rb，但通常题目默认Re存在且起主导作用。

25.绝缘栅场效晶体管的栅极与沟道之间的电容Cgs（）

A.用于放大信号             B.是寄生电容，越小越好

C.决定跨导gm             D.与漏极电流Id无关

正确答案：B

解析：Cgs是栅极与源极之间的寄生电容，主要由绝缘层和电极结构决定。它会导致高频信号衰减，影响开关速度，因此设计中希望其值越小越好。跨导gm由漏极电流Id和晶体管参数决定，与Cgs无直接关系。

26.在共发射极放大电路中，若集电极电流Ic因温度升高而增大，通过引入发射极电阻Re的负反馈，可以（）

A.使Ic进一步增大             B.使Ic保持不变

C.使Ic减小到初始值             D.稳定静态工作点

正确答案：D

解析：发射极电阻Re引入电流串联负反馈，当Ic因温度升高而增大时，Re上的电压降增大，导致基极-发射极电压Vbe减小，从而抑制Ic的进一步增大。虽然Ic不会完全恢复到初始值，但负反馈使静态工作点更稳定，减少热失控风险。

27.差分放大电路中，若两管集电极电流分别为Ic1=2 mA和Ic2=1.8 mA，且β=100，则输入差模信号导致的基极电流差ΔIb为（）

A.2μA             B.20μA

C.0.2 mA             D.0.02 mA

正确答案：A

解析：差模信号导致两管基极电流差为ΔIb=βΔIc=1002 mA−1.8 mA=2μA。差分放大电路对差模信号的放大能力由β决定。

28.互补对称功率放大电路中，若输出端出现饱和失真，可通过（）改善

A.增大电源电压VCC             B.减小输入信号幅度

C.增大负载电阻RL             D.减小晶体管的饱和压降

正确答案：B

解析：饱和失真由输出信号幅度过大导致晶体管进入饱和区引起。减小输入信号幅度可降低输出幅度，避免晶体管饱和。增大VCC或RL可能加剧失真（若输出幅度仍超过限制），而减小饱和压降需改进晶体管特性，非直接改善方法。

29.射极输出器的输入电阻Ri与（）关系最密切

A.基极电阻Rb             B.发射极电阻Re

C.晶体管内阻rbe             D.Rb∥[rbe+(1+β)Re]

正确答案：D

解析：射极输出器的输入电阻公式为Ri=Rb∥[rbe+(1+β)Re]。其中，rbe为晶体管输入电阻，(1+β)Re为发射极电阻的等效反馈电阻。若Rb较大，Ri主要由rbe+(1+β)Re决定，但完整表达式需包含Rb的并联作用。

30.绝缘栅场效晶体管的栅极驱动电压Vgs（）

A.必须为正值             B.必须为负值

C.可正可负             D.与漏极电流Id无关

正确答案：C

解析：MOSFET分为增强型和耗尽型，且N沟道和P沟道类型不同。增强型N沟道MOSFET需Vgs>Vt（阈值电压），P沟道需Vgs<Vt；耗尽型N沟道MOSFET在Vgs=0时已导通，P沟道同理。因此，Vgs的极性取决于晶体管类型，且Vgs通过控制沟道导电性间接影响Id。

31.在共发射极放大电路中，若基极电阻Rb减小，则静态工作点会（）

A.上移             B.下移

C.不变             D.无法确定

正确答案：A

解析：基极电阻Rb减小会导致基极电流Ib=Rb+rbeVCC−Vbe增大（Vbe近似为0.7V）。集电极电流Ic=βIb随之增大，静态工作点（Ic和Vce）上移，可能进入饱和区。

32.差分放大电路中，若两管集电极电阻Rc不对称（如Rc1=Rc2），则（）

A.差模增益增大             B.共模增益减小

C.输出信号产生失真             D.共模抑制比CMRR降低

正确答案：D

解析：Rc不对称时，差模增益和共模增益均受影响，但共模抑制比CMRR=AvcAvd会显著降低。差模信号仍被放大，但共模信号抑制能力下降，导致CMRR减小。输出失真可能因非线性因素引起，但Rc不对称主要影响对称性。

33.互补对称功率放大电路中，若负载电阻RL减小，则最大不失真输出功率Pom会（）

A.增大             B.减小

C.不变             D.与电源电压VCC无关

正确答案：A

解析：OCL电路的最大不失真输出功率公式为Pom=2RLVCC2。当RL减小时，Pom与RL成反比，因此输出功率增大。但需注意，实际电路中RL过小可能导致晶体管过热或进入饱和区。

34.射极输出器的电压增益Av通常（）

A.远大于1             B.接近1但小于1

C.远小于1             D.等于-1

正确答案：B

解析：射极输出器的电压增益公式为Av=rbe+(1+β)Re′(1+β)Re′（Re′为射极电阻的交流等效值）。由于rbe≪(1+β)Re′，Av≈1但略小于1，主要用于阻抗匹配和电流放大。

35.绝缘栅场效晶体管的栅极电流Ig（）

A.随漏极电流Id增大而增大             B.随栅源电压Vgs增大而增大

C.几乎为零                  D.与温度密切相关

正确答案：C

解析：MOSFET的栅极与沟道之间为绝缘层（如二氧化硅），正常工作时栅极电流极小，几乎为零。栅极电压Vgs通过电场控制沟道导电性，而非通过电流。栅极电流仅在开关瞬态或绝缘层击穿时显著增大。

36.在共发射极放大电路中，若集电极电阻Rc增大，则电压增益Av会（）

A.减小             B.增大

C.不变             D.与负载电阻RL无关

正确答案：B

解析：电压增益公式为Av=−βrbeRc∥RL。当Rc增大时，Rc∥RL趋近于RL（若Rc≫RL）或整体增大（若Rc与RL可比），导致Av的绝对值增大。因此，Rc增大时，电压增益增大。

37.差分放大电路中，若采用双端输入-双端输出方式，且两管参数完全对称，则共模抑制比CMRR（）

A.等于0                 B.趋于无穷大

C.取决于负载电阻RL             D.与差模增益无关

正确答案：B

解析：共模抑制比CMRR=AvcAvd。双端输入-双端输出且对称时，差模增益Avd较大，而共模增益Avc≈0（因两管共模信号相互抵消）。因此CMRR→∞，理想情况下完全抑制共模信号。

38.互补对称功率放大电路中，若电源电压VCC减小，则效率η会（）

A.增大             B.减小

C.不变             D.与负载电阻RL成正比

正确答案：B

解析：OCL电路的效率公式为η=PDCPom，其中Pom=2RLVCC2，直流电源功率PDC∝VCC。当VCC减小时，Pom减小更快（与VCC2成正比），而PDC减小较慢（与VCC成正比），导致效率η降低。

39.射极输出器的输出电阻Ro与（）关系最密切

A.集电极电阻Rc             B.发射极电阻Re

C.晶体管内阻rce             D.基极电阻Rb

正确答案：B

解析：射极输出器的输出电阻公式为Ro≈Re∥β+1rbe+Rb。若Re较大且无旁路电容，Ro主要由Re决定；若Re较小且有旁路电容，Ro接近晶体管输出电阻rce∥β+1rbe+Rb，但通常题目默认Re存在且起主导作用。

40.绝缘栅场效晶体管的漏极电流Id主要由（）控制

A.栅极电流Ig             B.栅源电压Vgs

C.漏源电压Vds             D.环境温度

正确答案：B

解析：MOSFET为电压控制型器件，漏极电流Id由栅源电压Vgs通过电场效应控制沟道导电性。栅极电流Ig极小，Vds主要影响饱和区与线性区的切换，而温度对Id的影响需通过阈值电压Vt等参数间接体现。